Author : Daeguen Lee

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먼젓번에 예고한 대로, 삼성 DDR3 4GB 램을 여러 개 확보해 수율 테스트를 해보게 되었습니다.
각 주차별로 표본이 많지 않아 통계적인 대표성을 보장할 수 없는 자료이긴 합니다만...
대충 요 근래의 삼성램들 오버 수율은 이렇다! 하는 지표로 봐 주시면 좋겠습니다.


<참가 선수 소개>

테스트에 쓰인 램들은 아래와 같습니다.

▲ 주차마다 기판 색이 다른 게 보이시죠?
(맨 밑에 램은 왜 한칸 떨어져 있는지 의문을 가진 분이 계시다면... 잠시 후 밝혀집니다!)

오늘의 선수들을 소개합니다~

1052주차 / 1102주차 (각각 1개)

▲ 지금 현재 제 메인 컴퓨터에 달려 있던 녀석들입니다. 올해 초 구입했죠.

1124주차 (2개)

▲ 여름방학 중 구입했던 친구의 램입니다.
수율 테스트를 하는 김에 최대한 많은 대조군을 확보하고자 친구에게도 손을 벌리게 되었네요 ㅋ_ㅋ;;

1126주차 (4개)

▲ 며칠 전 동생의 새 컴을 맞춰준다는 핑계로 용산에 올라가 잔뜩 사 온 램입니다.
<준x유> 라는 업체에서 이 주차로 네개를 사고, 그만 살까 하다가 대조군을 늘리잔 생각에 두개를 더 샀으니,

1130주차 (2개; 1개는 동생 컴에 꽂아주고 옴)

▲ ...그게 바로 이 램 되겠습니다.ㅋㅋ
1130주차 둘 중 하나가 테스트에 참여하지 못한 이유는 위에 적었다시피 동생컴에 달아 주었기 때문이죠 -_-
(원래 예비 테스트 후 가장 수율이 나쁜 램을 동생컴에 끼워주고, 나머지로 본 테스트를 진행할 예정이었으나
http://udteam.tistory.com/402 <- 이 글에 언급된 문제?!로 인해 테스트 없이 임의의 램을 꽂아 주었습니다)

하여, 원래는 총 열개의 대조군이 있어야 하나 이번 테스트는 아홉개만을 대상으로 진행되었습니다.
(맨 위의 사진에서 한 칸이 빈 이유도 그 때문...ㅋㅋ)

여기서 가장 수율이 나쁜 램을 추석 연휴때 집에 갖고 올라가 동생 컴에 꽂아 주고...
동생컴의 램을 다시 들고 내려와 수율을 테스트한 뒤 최종적으로 서열을 매길 생각입니다.


그럼 거두절미하고, 바로 테스트 결과로 들어갑니다.


<테스트 1: 1600MHz에서 램 타이밍 조이기>

이 테스트는 저의 투반 + MSI 890FX 보드에서 진행되었습니다.
아수스를 제외한 나머지 브랜드의 AMD 보드에서는 램 클럭 2000MHz를 먹이는 것이 불가능합니다.
(심지어 타 브랜드의 플래그십 보드조차 아수스의 880G 보드보다 램클럭이 더 안 오르는 현실...)
MSI 보드도 예외는 아니어서, 이 플랫폼에서는 클럭을 1600MHz로 맞춰 두고 램 타이밍을 조여 보았습니다.

(※ 램 타이밍 항목은 CL-tRCD-tRP의 순으로 기록되었습니다)

▲ 대부분의 램들의 경우 tRCD/tRP를 8 밑으로 내리면 포스팅조차 되지 않았는데
유일하게 1130주차의 경우 tRCD/tRP가 기본 전압에서 7이 들어가는 놀라운 모습을 보여줍니다.
(※ CL을 내리는 것보다 tRCD/tRP를 내리는 것이 훨씬 어렵습니다. 예컨대 8-10-10보다 9-9-9가 훨씬 빡셈)

▲ 1130주차는 독보적으로 6-7-7이라는 놀라운 램 타이밍을 기본 전압에서 달성했으며,
1124주차도 기본 전압에서 CL값이 다른 램보다 한단계 더 조여져 6-8-8을 달성했습니다. 나쁘지 않군요.
대부분의 램은 1.65V에서 7-8-8이 가능했고, 전압을 조금 더 올릴 경우 CL값을 한단계 더 낮출 수 있었습니다.


<테스트 2: 2000MHz에서 램 타이밍 조이기>

램 클럭이 잘 안 오르는 MSI보드에서는 더 이상 테스트해 볼 게 없어, 친구의 라노 시스템을 빌렸습니다.
테스트에 사용된 조합은 AMD A8-3850 + ASUS F1A75-V PRO입니다.
라노의 CPU 코어 자체는 기존의 데네브와 같은 K10 아키텍처를 계승했지만 메모리컨트롤러는 크게 개량되어
기존의 AMD CPU들과 달리 매우 높은 램 클럭을 사용할 수 있게 되었습니다.
이제부터 소개할 결과를 보면 아시겠지만, 사실상 린필드 / 샌디브릿지의 램 오버 여력과 비슷한 수준입니다.

▲ 첫 탈락자가 나왔습니다. 바로 1102주차 램...
2000MHz 이상에선 어떻게 해 줘도 제대로 포스팅이 되지 않았습니다.
(램타이밍을 12-12-12 2T로 풀고 전압을 1.75V까지 줘 봐도...)

여기서도 앞의 결과와 마찬가지로, 기본 전압에서 1130주차가 독보적으로 tRCD/tRP 9를 달성했습니다.
다른 램 중에서는 유일하게 6번 램(1126주차)이 전압을 약간 올린 상태에서 tRCD/tRP 9를 달성했습니다.
그 외의 다른 램들은 tRCD/tRP 값을 10 밑으로 내리는 것이 불가능했습니다. (~1.75V 범위에서)

탈락자를 제외하고, 모든 램의 CL값은 8까지 조여졌으며, 그 밑으로는 더 내릴 수 없었습니다.

<테스트 3: 최고 클럭 찾기: 찾은 클럭에서 최대한 램타 조이기>

이번 테스트도 라노 플랫폼에서 진행되었습니다.
CPU 및 다른 클럭은 안전한 범위 내로 유지하면서, FSB를 올려 램 클럭을 100MHz씩 올려 가며 각각의 램이 안정적으로 작동 가능한 최대 클럭을 찾아 보았습니다. (램 타이밍은 12-12-12 2T에서부터 시작)
그리고 클럭이 더 이상 오르지 않을 때, 램 타이밍을 조이기 시작해 가장 타이트한 세팅을 찾아 보았습니다.

참고로, 제가 램 타이밍을 조이는 알고리즘(?)은 아래와 같습니다.

1. 12-12-12에서 시작, 모든 항목을 하나씩 줄여 가며 테스트 (ex: 11-11-11 -> 10-10-10 -> ...)
2-a. 1번에서 막힐 경우, 전 단계에서 CL값만 한단계 줄여 테스트 (ex: 9-9-9가 막힌 경우 9-10-10 테스트)
2-b. 2-a에서 테스트를 통과한 경우, CL값만 하나씩 줄여 가며 테스트 (ex: 9-10-10 -> 8-10-10 -> ...)
3. 2번에서 막힐 경우, CL값을 그대로 두고 tRCD/tRP를 풀어 가며 테스트 (ex: 8-10-10 -> 8-11-11 -> ...)

뭐, 보통은 CL값이 tRCD/tRP보다 3 이상 차이나게 조여지는 경우는 드물기 때문에
1번 <-> 2번의 과정만 반복하다 보면 가장 타이트한 세팅을 완벽히 찾을 수 있습니다.
또한 삼성램의 특성상 tRCD/tRP값을 내리기 매우 어려워, 8-10-10보다 9-9-9가 훨씬 힘든 세팅이 됩니다.
(8-10-10과 9-9-9가 동시에 들어간 램이 있다면 두 세팅을 모두 병기했겠지만, 그런 경우가 없었습니다)

▲ 노파심에서 하는 얘기지만, 9-11-11 이라든지 9-12-12 이렇게 최종적으로 세팅된 램의 경우
10-10-10 이라든지 10-11-11 / 11-11-11 이런 세팅을 안 해본게 전혀 아닙니다.ㅠㅠ
삼성램의 발목을 잡는 건 누차 얘기하지만 tRCD/tRP... CL값이 아니라구요 -_-ㅋ

여튼. 1130주차는 정말 멋진 수율을 보입니다.

▲ 기본 전압에서 2400 CL9를 달성한 것도 모자라 전압을 조금 올리니 2500MHz까지 작동이 됩니다.
그리고 여기엔 살짝 못 미치지만 1124주차 쌍둥이도 멋진 클럭을 보여주고 있습니다.

그 외의 다른 램들은 대개 2200~2300 정도에서 수율의 한계를 나타내고 있는데,
이 중에서도 눈여겨볼 만한 램이 있으니, 6번과 8번 (둘 다 1126주차) 되겠습니다.
비슷비슷한 클럭의 다른 램들보다 램타이밍이 눈에 띄게 더 조여지는 특성을 나타내고 있습니다.


<결론>

지금까지의 결과를 하나의 표로 정리해 보겠습니다.

▲ 테스트한 램들 중 두각을 나타내는 건 단연 1130주차 램입니다.
하필 같은 주차의 쌍둥이 램을 동생 컴에 꽂아주고 왔는데 -_-
랜덤하게 꽂아 주고 온 그 램이 하필 강력한 우승 후보라니. 아이러니하군요 ㅋㅋㅋㅋㅋ
그리고 눈여겨볼 만한 램은 1124주차 쌍둥이들(고클럭)과 6번 램 (1126주차, 낮은 램타) 정도입니다.

재미있는 점은 오버클럭이 잘 되는 1124주차와 1130주차는 모두 Made in China인 반면
별 볼일 없던 1126주차는 모두 Made in Korea였다는 점입니다 -_-a 일부러 코리아로 네개나 샀구만!!

과연 이것도 대륙의 실수인가......

암튼. 지금까지 읽어 주셔서 감사합니다 ㅋㅋ