삼성家의 혈투 - DDR3 4GB 오버율 테스트 (2)

Author : Daeguen Lee

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며칠 전 올렸던 삼성램 수율 테스트를 기억하시나요?
1052 / 1102 / 1124 / 1126 / 1130 - 이렇게 다섯 주차의 램 열개를 가지고 수율을 비교하는 것이 목적이었는데
1130주차 두개 중 한개가 테스트에서 제외되어 실제로 테스트된 램은 아홉 개였습니다.
그 이유에 대해선 저번 테스트 글을 참조하시고... (http://udteam.tistory.com/405)

추석 연휴를 맞아 집에 올라가, 동생컴에 끼워 두었던 또다른 1130주차 램을 회수해 왔습니다.
과연, 쌍둥이 램이 보여주었던 압도적인 수율을 능가할 수 있을지, 간단히 살펴보겠습니다.

※ 저번의 테스트 항목 중 <테스트 1: 1600MHz에서 램 타이밍 조이기> 는 이번에 진행할 수 없었습니다.
왜냐면 해당 테스트만은 유일하게 제 시스템(투반 + 890FX)에서 진행해 왔는데 지금 시스템이 분해된 상태라...
조만간 시스템 가조립 후 이 글 뒤에 덧붙이도록 하겠습니다.

테스트는 라노 시스템(A8-3850 + ASUS F1A75-V PRO)에서 진행되었습니다.

그럼, 우선 테스트 2부터 보기로 합시다.


<테스트 2: 2000MHz에서 램 타이밍 조이기>

우선 기본 전압에서 가능한 최소 램타이밍은 CL8-9-9 1T였습니다.

▲ 여기까지는 놀라울 게 없죠? (사실 놀라운 겁니다만)
이 결과는 이전 테스트에서 쌍둥이 1130주차도 달성했던 기록이니까요.

여기서 잠깐: 제가 주어진 클럭에서 '최소 램타'를 찾아가는 알고리즘은 아래와 같습니다.

1. 12-12-12에서 시작, 모든 항목을 하나씩 줄여 가며 테스트 (ex: 11-11-11 -> 10-10-10 -> ...)
2-a. 1번에서 막힐 경우, 전 단계에서 CL값만 한단계 줄여 테스트 (ex: 9-9-9가 막힌 경우 9-10-10 테스트)
2-b. 2-a에서 테스트를 통과한 경우, CL값만 하나씩 줄여 가며 테스트 (ex: 9-10-10 -> 8-10-10 -> ...)
3. 2번에서 막힐 경우, CL값을 그대로 두고 tRCD/tRP를 풀어 가며 테스트 (ex: 8-10-10 -> 8-11-11 -> ...)

다만 이번 테스트의 경우, 지난 테스트의 경험에 의존해 처음부터 8-9-9를 시도해 본 것이므로
원칙대로라면, 2-a로 넘어가지 않고 계속 1번만을 반복해도 될 개연성이 있었던 것이긴 합니다.
(즉 9-9-9 -> 8-9-9를 시도하기 전에 8-8-8로도 해 봤어야 하는 것 아닌가, 하다는 말씀)

......안 됩디다. Trust me!

아무튼 원칙에 충실하기 위해, 다시 12-12-12 상태로 돌아가서 생각을 해 보았습니다.
'8-9-9가 됐으니까 CL8 이상을 테스트하는 건 의미없겠지.' (ex: 8-12-12, 8-11-11...)
그럼 시도해 볼 건 CL7밖에 더 있나요. 가 보겠습니다!

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▲ !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

참고로 말씀드리자면, 지금까지 테스트한 다른 어떤 램도 2000MHz CL7은 부팅조차 불가능했었습니다.
헌데 이 램은 부팅이 됐습니다!!! (1.75V)
가능성을 본 이상 버릴 수 없죠. 안정화를 시도해 보았습니다.

▲ 위에서부터 차례로 2000MHz 7-12-12 / 7-11-11 / 7-10-10 / 7-9-9 @ 1.8V
1.75V에선 7-12-12로도 안정화가 불가능했지만 1.8V로 올려 주자 단숨에 7-9-9까지 내려왔습니다.

Further: 전압을 더 인가해 줘도 tRCD / tRP 8 이하로는 조일 수 없었고,
tRCD / tRP를 12까지 풀어 줘도 CL6에서는 부팅조차 할 수 없었습니다.
즉 깔끔하게 7-9-9가 이 램의 한계입니다. 멋진 놈!

램타 조이기는 이쯤 하고, 최대 클럭을 찾아 봅시다.


<테스트 3: 최고 클럭 찾기 - 찾은 클럭에서 최대한 램타 조이기>

굉장한 램타에서의 능력과 달리, 최대 클럭을 찾는 건 상대적으로 평범하게(?) 끝났습니다.
우선 기본 전압에서의 최대 클럭은 아래와 같습니다.

▲ 2300MHz CL9-11-11 1T

...참고로, 기본 전압에서 (전압이 고정된 상태에서) 최대 클럭을 찾는 알고리즘은 아래와 같습니다.

1. 램타를 12-12-12 2T로 풀고 시작.
2. FSB를 조절해가며 램 클럭을 100MHz 단위로 올려 가며 테스트. (2000 -> 2100 -> 2200...)
3. 2번에서 한계클럭을 발견하면 (예: 2300) 해당 클럭에서부터 램타를 조이기 시작.

3번부터는 앞에서 소개한 최소 램타를 찾는 알고리즘이 가동됩니다.

이 램의 경우, 먼젓번에 테스트한 쌍둥이 1130주차의 예를 감안해 기본 전압에서 2400을 시도했는데
부팅은 손쉽게 되었으나, 의외로 (쌍둥이 램이 가능했던) 9-11-11에서 안정화가 되지 않았습니다.
하여 12-12-12까지 풀고 돌려 보았지만, 이상하게도 CL12에서는 9-11-11보다도 불안정한 모습을 보였습니다.
(9-11-11에서는 파이가 14 루프까지 돌았지만 12-12-12에서는 시작조차 못 한다든지...)

CL12 설정이 뭔가 이상하게 먹힌 듯 하지만, 어쨌든 원칙은 원칙이니...
하여 2400보다 한단계 낮은 클럭인 2300으로 테스트를 돌리게 된 것입니다.

그렇다면, 전압을 올려 가며 테스트한 결과는 어땠을까요?

▲ 2400MHz CL9-11-11 1T @ 1.70V

역시, 쌍둥이보다는 못하지만 다른 모든 램보다 우월한 클럭 / 램타이밍 조합이 나왔습니다.
참고로 2400MHz에서 tRCD / tRP 값이 11이 들어간 램은 1124주차 중 하나와 이 램의 쌍둥이 램 뿐이었습니다.
(1124주차 두개는 1.75V에서 각각 2400 9-11-11 / 2400 9-12-12로 안정화가 된 바 있습니다)

또 다른 1130주차에서 가능했던 2500MHz 안정화를 시도해 보았습니다만...
부팅은 가능했는데, 테스트는 아무래도 돌지를 않더군요. (전압을 더 올려 보아도...)
삼성램으로 기본스펙 (1333MHz) 의 두배인 2600MHz를 달성하는 걸 한번 보고 싶었는데, 아쉽습니다 ㅋ_ㅋ;

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빠른 시일 내에 <테스트 1: 1600MHz에서 램 타이밍 조이기> 를 보강해 업데이트하도록 하겠습니다.
지금까지 긴 글 읽어 주셔서 감사합니다^^

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